IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUCN04S7N015GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N019GATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N015GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 - 40V OptiMOS 7 N-FET, 1.95 mOhm SSO4G | Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN04S7N019GATMA1 | IAUCN04S7N015GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,82 | $2,21 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | OptiMOS 7 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | 147 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical | 1.95 mOhm | — |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | 81 W | — |
| Boîtier | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (IMS-compatible source-down) |
| Substrate Compatibility | IMS substrates and legacy PCB | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (per family datasheet) | AEC-Q101 qualified |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Tape and Reel Packaging | Yes (per ATMA1 suffix) | — |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] | — |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 165 A (Tc) |
| Power Dissipation (P_D) | — | 96 W (Tc) |
| R_DS(on) max | — | 1.53 mΩ at V_GS=10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS max] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |