IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUCN04S7N015GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN04S7N019GATMA1 por Infineon e IAUCN04S7N015GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUCN04S7N015GATMA1 IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN04S7N019GATMA1 IAUCN04S7N015GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,82 $2,21
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 OptiMOS 7
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 147 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.95 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Tc) 81 W —
Encapsulamento PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (IMS-compatible source-down)
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy PCB —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per family datasheet) AEC-Q101 qualified
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Tape and Reel Packaging Yes (per ATMA1 suffix) —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 165 A (Tc)
Power Dissipation (P_D) — 96 W (Tc)
R_DS(on) max — 1.53 mΩ at V_GS=10 V
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Fichas técnicas e recursos

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