IAUCN08S7L013ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUCN08S7L013ATMA1 por Infineon y IAUCN10S5L280DATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUCN08S7L013ATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,96 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 OptiMOS 5
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Maximum On-Resistance (RDS(on) max) 1.26 mΩ —
Corriente de drenador continua (TC=25°C) [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C] —
Continuous Drain Current (TJ) 293 A —
Power Dissipation (TC) 219 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] —
Gate Drive Voltage (typical) 10 V —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C -55C to +175C (junction)
Encapsulado PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Qualification AEC-Q101 (automotive) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (suffix ATMA1) —
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Technology — OptiMOS 5 Trench MOSFET
Recuento de pines — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

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