IAUCN08S7L013ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IAUCN08S7L013ATMA1 por Infineon e IAUCN10S5L280DATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IAUCN08S7L013ATMA1 | IAUCN10S5L280DATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,96 | $1,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | OptiMOS 5 |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Maximum On-Resistance (RDS(on) max) | 1.26 mΩ | — |
| Corrente de dreno contínua (TC=25°C) | [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C] | — |
| Continuous Drain Current (TJ) | 293 A | — |
| Power Dissipation (TC) | 219 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] | — |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C (junction) |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL) | PG-TDSON-8-61 (SSO8) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Qualification | AEC-Q101 (automotive) | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel (suffix ATMA1) | — |
| Configuration | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | — | 23 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 38 W |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101, IAU prefix) |
| Technology | — | OptiMOS 5 Trench MOSFET |
| Contagem de pinos | — | 8 |
| Packing | — | Tape & Reel (T&R) |