IAUCN08S7L013ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN08S7L013ATMA1 par Infineon et IAUCN10S5L280DATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN08S7L013ATMA1 | IAUCN10S5L280DATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,96 | $1,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | OptiMOS 5 |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Maximum On-Resistance (RDS(on) max) | 1.26 mΩ | — |
| Courant de drain continu (TC=25°C) | [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C] | — |
| Continuous Drain Current (TJ) | 293 A | — |
| Power Dissipation (TC) | 219 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] | — |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C (junction) |
| Boîtier | PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL) | PG-TDSON-8-61 (SSO8) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Qualification | AEC-Q101 (automotive) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel (suffix ATMA1) | — |
| Configuration | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | — | 23 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 38 W |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101, IAU prefix) |
| Technology | — | OptiMOS 5 Trench MOSFET |
| Nombre de broches | — | 8 |
| Packing | — | Tape & Reel (T&R) |