IAUCN08S7L018ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de IAUCN08S7L018ATMA1 por Infineon y IAUCN10S5L280DATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | IAUCN08S7L018ATMA1 | IAUCN10S5L280DATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $1,55 | $1,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | OptiMOS 5 |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | OptiMOS 5 Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 210 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | [DATA_NEEDED: ID at Tc] | — |
| Maximum RDS(on) at VGS=10 V | 1.8 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25 °C | 169 W | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C (junction) |
| Encapsulado | PG-TDSON-8-43 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-61 (SSO8) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive (per Infineon part description) | — |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Configuration | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | — | 23 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 38 W |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101, IAU prefix) |
| Recuento de pines | — | 8 |
| Packing | — | Tape & Reel (T&R) |