IAUCN08S7L018ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN08S7L018ATMA1 par Infineon et IAUCN10S5L280DATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN08S7L018ATMA1 | IAUCN10S5L280DATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,55 | $1,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | OptiMOS 5 |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | OptiMOS 5 Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 210 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | [DATA_NEEDED: ID at Tc] | — |
| Maximum RDS(on) at VGS=10 V | 1.8 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25 °C | 169 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C (junction) |
| Boîtier | PG-TDSON-8-43 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-61 (SSO8) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive (per Infineon part description) | — |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Configuration | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | — | 23 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 38 W |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101, IAU prefix) |
| Nombre de broches | — | 8 |
| Packing | — | Tape & Reel (T&R) |