IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUZ18N10S5L420ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUCN10S5L280DATMA1 por Infineon y IAUZ18N10S5L420ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUCN10S5L280DATMA1 IAUZ18N10S5L420ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,62 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array Single with built-in diode
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
Encapsulado PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET OptiMOS 5 trench
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (junction) —
Recuento de pines 8 —
Nivel MSL 1 1
Estado RoHS Compliant Compliant
Packing Tape & Reel (T&R) —
Series — OptiMOS 5 100V
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 18 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 42 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.7 V to 2.7 V
Total Gate Charge (Qg) typ. — 8.5 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 30 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

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