IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUZ18N10S5L420ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN10S5L280DATMA1 par Infineon et IAUZ18N10S5L420ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN10S5L280DATMA1 IAUZ18N10S5L420ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,62 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array Single with built-in diode
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
Boîtier PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET OptiMOS 5 trench
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) —
Nombre de broches 8 —
Niveau MSL 1 1
Statut RoHS Compliant Compliant
Packing Tape & Reel (T&R) —
Series — OptiMOS 5 100V
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 18 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 42 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.7 V to 2.7 V
Total Gate Charge (Qg) typ. — 8.5 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 30 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis