IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUZ18N10S5L420ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IAUCN10S5L280DATMA1 от Infineon и IAUZ18N10S5L420ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IAUCN10S5L280DATMA1 IAUZ18N10S5L420ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,62 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array Single with built-in diode
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
Корпус PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET OptiMOS 5 trench
Диапазон рабочих температур -55C to +175C (junction) —
Число выводов 8 —
Уровень MSL 1 1
Статус RoHS Compliant Compliant
Packing Tape & Reel (T&R) —
Series — OptiMOS 5 100V
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 18 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 42 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.7 V to 2.7 V
Total Gate Charge (Qg) typ. — 8.5 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 30 W
Рабочая температура перехода — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену