IAUS300N08S5N011TATMA1 vs ISZ230N10NM6ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUS300N08S5N011TATMA1 por Infineon y ISZ230N10NM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUS300N08S5N011TATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,65 $0,71
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS-5 (trench MOSFET) OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 80 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 300 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 375 W —
R_DS(on) Max @ V_GS=10V 1.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3 V (max) —
Total Gate Charge (Q_G) @ 10V 231 nC —
Output Capacitance (C_OSS) 130 pF (typ) —
Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) 16.25 nF (typ) —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C (Tj) -55 °C to +150 °C (junction)
Encapsulado PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16) PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Number of Channels 1 —
Estado RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (Infineon automotive part) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (Ta) — 7.7 A
Continuous Drain Current (Tc) — 31 A
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 23 mΩ (typ, ID=10A)
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 3.3 V (typ at 13 µA)
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V
Nivel MSL — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Family — OptiMOS 6 (100V class)

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización