IAUS300N08S5N011TATMA1 vs ISZ230N10NM6ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUS300N08S5N011TATMA1 제조: Infineon 및 ISZ230N10NM6ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUS300N08S5N011TATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.65 $0.71
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS-5 (trench MOSFET) OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 80 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 300 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 375 W —
R_DS(on) Max @ V_GS=10V 1.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3 V (max) —
Total Gate Charge (Q_G) @ 10V 231 nC —
Output Capacitance (C_OSS) 130 pF (typ) —
Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) 16.25 nF (typ) —
동작 온도 범위 -55 C to +175 C (Tj) -55 °C to +150 °C (junction)
패키지 PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16) PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Number of Channels 1 —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (Infineon automotive part) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (Ta) — 7.7 A
Continuous Drain Current (Tc) — 31 A
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 23 mΩ (typ, ID=10A)
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 3.3 V (typ at 13 µA)
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V
MSL 레벨 — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Family — OptiMOS 6 (100V class)

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