IAUS300N08S5N011TATMA1 vs ISZ230N10NM6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUS300N08S5N011TATMA1 par Infineon et ISZ230N10NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUS300N08S5N011TATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,65 $0,71
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS-5 (trench MOSFET) OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 80 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 300 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 375 W —
R_DS(on) Max @ V_GS=10V 1.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3 V (max) —
Total Gate Charge (Q_G) @ 10V 231 nC —
Output Capacitance (C_OSS) 130 pF (typ) —
Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) 16.25 nF (typ) —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C (Tj) -55 °C to +150 °C (junction)
Boîtier PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16) PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Number of Channels 1 —
Statut RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (Infineon automotive part) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (Ta) — 7.7 A
Continuous Drain Current (Tc) — 31 A
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 23 mΩ (typ, ID=10A)
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 3.3 V (typ at 13 µA)
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V
Niveau MSL — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Family — OptiMOS 6 (100V class)

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