IAUS300N08S5N011TATMA1 vs ISZ230N10NM6ATMA1 对比

详细并排对比 IAUS300N08S5N011TATMA1 出自 Infineon 和 ISZ230N10NM6ATMA1 出自 Infineon。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

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IAUS300N08S5N011TATMA1 IAUS300N08S5N011TATMA1 - 80V 300A 1.1mOhm OptiMOS-5 MOSFET | Infineon

IAUS300N08S5N011TATMA1 - 80V 300A 1.1mOhm OptiMOS-5 MOSFET | Infineon

IAUS300N08S5N011TATMA1 ✓ 量产中
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ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 ✓ 量产中

规格对比

参数 IAUS300N08S5N011TATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1
品牌 Infineon Infineon
分类 MOSFETs MOSFETs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $2.65 $0.71
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS-5 (trench MOSFET) OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 80 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 300 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 375 W —
R_DS(on) Max @ V_GS=10V 1.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3 V (max) —
Total Gate Charge (Q_G) @ 10V 231 nC —
Output Capacitance (C_OSS) 130 pF (typ) —
Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) 16.25 nF (typ) —
工作温度范围 -55 C to +175 C (Tj) -55 °C to +150 °C (junction)
封装 PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16) PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm)
安装类型 Surface Mount Surface Mount
Number of Channels 1 —
RoHS 状态 Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (Infineon automotive part) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (Ta) — 7.7 A
Continuous Drain Current (Tc) — 31 A
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 23 mΩ (typ, ID=10A)
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 3.3 V (typ at 13 µA)
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V
MSL 等级 — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Family — OptiMOS 6 (100V class)

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