IAUZ18N10S5L420ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUZ18N10S5L420ATMA1 por Infineon y IAUCN10S5L280DATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUZ18N10S5L420ATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,48 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 100V —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 42 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V to 2.7 V —
Total Gate Charge (Qg) typ. 8.5 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 30 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 °C to +175 °C —
Encapsulado PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm PG-TDSON-8-61 (SSO8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Technology OptiMOS 5 trench OptiMOS 5 Trench MOSFET
Configuration Single with built-in diode Dual N-Channel MOSFET Array
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 1
Product Family — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C (junction)
Recuento de pines — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

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