IAUZ18N10S5L420ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IAUZ18N10S5L420ATMA1 от Infineon и IAUCN10S5L280DATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IAUZ18N10S5L420ATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,48 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 100V —
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 42 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V to 2.7 V —
Total Gate Charge (Qg) typ. 8.5 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 30 W —
Рабочая температура перехода -55 °C to +175 °C —
Корпус PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm PG-TDSON-8-61 (SSO8)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Technology OptiMOS 5 trench OptiMOS 5 Trench MOSFET
Configuration Single with built-in diode Dual N-Channel MOSFET Array
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL 1 1
Product Family — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Диапазон рабочих температур — -55C to +175C (junction)
Число выводов — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену