IAUZ18N10S5L420ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUZ18N10S5L420ATMA1 par Infineon et IAUCN10S5L280DATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUZ18N10S5L420ATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 100V —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 42 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V to 2.7 V —
Total Gate Charge (Qg) typ. 8.5 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 30 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm PG-TDSON-8-61 (SSO8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Technology OptiMOS 5 trench OptiMOS 5 Trench MOSFET
Configuration Single with built-in diode Dual N-Channel MOSFET Array
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 1
Product Family — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C (junction)
Nombre de broches — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

Fiches techniques et ressources

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