IAUZ30N10S5L240ATMA1 vs IAUZ40N10S5N130ATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de IAUZ30N10S5L240ATMA1 por Infineon y IAUZ40N10S5N130ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Infineon
IAUZ30N10S5L240ATMA1 - 100V 30A 24mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUZ30N10S5L240ATMA1 ✓ ActivoInfineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 - 100V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | IAUZ30N10S5L240ATMA1 | IAUZ40N10S5N130ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,86 | $0,52 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | OptiMOS 5 (super-junction trench) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 30 A | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 24 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | ±20 V | — |
| Gate Charge (Q_g) typ | 14 nC at V_GS=10V | — |
| Input Capacitance (C_iss) typ | 832 pF at V_DS=50V | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 45.5 W | — |
| Encapsulado | PG-TSDSON-8-32 (8-PowerTDFN, exposed drain pad) | PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55°C to +175°C (junction, automotive grade) | -55°C to +175°C (TJ) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) value] | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IAUZ40N10S5N130ATMA1 |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 160 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 13 mΩ |
| RDS(on) typical | — | 10 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | — | 68 W |
| Lead-Free / RoHS | — | ROHS3 Compliant |