IAUZ40N08S5N100ATMA1 vs IAUZ20N08S5L300ATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de IAUZ40N08S5N100ATMA1 por Infineon y IAUZ20N08S5L300ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Infineon
IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ40N08S5N100ATMA1 ✓ ActivoInfineon
IAUZ20N08S5L300ATMA1 - 80V 20A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ20N08S5L300ATMA1 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | IAUZ40N08S5N100ATMA1 | IAUZ20N08S5L300ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,71 | $0,81 |
| Technology | OptiMOS-5 N-Channel MOSFET | Trench MOSFET (OptiMOS-5) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 68 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 10 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge Qg typ | 24.2 nC @ VGS=10 V | — |
| Input Capacitance Ciss | 1591 pF @ VDS=40 V | — |
| Gate-Source Voltage VGS max | ±20 V | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| Encapsulado | PG-TDSON-8 (S3O8) 3.3 × 3.3 mm | PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3 x 3.3 mm |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS-5 |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 20 A (Tc) |
| Power Dissipation (Pd) | — | 30 W (Tc) |
| On-State Resistance (Rds(on)) | — | 30 mΩ @ 10 A, 10 V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | ±20 V (max Vgs rating) |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 599 pF @ 40 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 10.5 nC @ 10 V |
| Temperatura de unión de funcionamiento | — | -55°C to +175°C |
| Qualification | — | AEC-Q101 (automotive) |