IAUZ40N08S5N100ATMA1 vs IAUZ20N08S5L300ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUZ40N08S5N100ATMA1 par Infineon et IAUZ20N08S5L300ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ40N08S5N100ATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUZ20N08S5L300ATMA1 - 80V 20A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ20N08S5L300ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUZ40N08S5N100ATMA1 | IAUZ20N08S5L300ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,71 | $0,81 |
| Technology | OptiMOS-5 N-Channel MOSFET | Trench MOSFET (OptiMOS-5) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 68 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 10 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge Qg typ | 24.2 nC @ VGS=10 V | — |
| Input Capacitance Ciss | 1591 pF @ VDS=40 V | — |
| Gate-Source Voltage VGS max | ±20 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8 (S3O8) 3.3 × 3.3 mm | PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3 x 3.3 mm |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS-5 |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 20 A (Tc) |
| Power Dissipation (Pd) | — | 30 W (Tc) |
| On-State Resistance (Rds(on)) | — | 30 mΩ @ 10 A, 10 V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | ±20 V (max Vgs rating) |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 599 pF @ 40 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 10.5 nC @ 10 V |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55°C to +175°C |
| Qualification | — | AEC-Q101 (automotive) |