IAUZ40N08S5N100ATMA1 vs IAUZ20N08S5L300ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUZ40N08S5N100ATMA1 제조: Infineon 및 IAUZ20N08S5L300ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IAUZ40N08S5N100ATMA1 IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ40N08S5N100ATMA1 ✓ 활성
Infineon
IAUZ20N08S5L300ATMA1 IAUZ20N08S5L300ATMA1 - 80V 20A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ20N08S5L300ATMA1 - 80V 20A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ20N08S5L300ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUZ40N08S5N100ATMA1 IAUZ20N08S5L300ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.71 $0.81
Technology OptiMOS-5 N-Channel MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS-5)
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 40 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 68 W —
On-Resistance RDS(on) max 10 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge Qg typ 24.2 nC @ VGS=10 V —
Input Capacitance Ciss 1591 pF @ VDS=40 V —
Gate-Source Voltage VGS max ±20 V —
동작 온도 범위 -55 °C to +175 °C (TJ) —
패키지 PG-TDSON-8 (S3O8) 3.3 × 3.3 mm PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3 x 3.3 mm
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Channel Type N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-5
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — 80 V
Continuous Drain Current (Id) — 20 A (Tc)
Power Dissipation (Pd) — 30 W (Tc)
On-State Resistance (Rds(on)) — 30 mΩ @ 10 A, 10 V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — ±20 V (max Vgs rating)
Input Capacitance (Ciss) — 599 pF @ 40 V
Total Gate Charge (Qg) — 10.5 nC @ 10 V
동작 접합 온도 — -55°C to +175°C
Qualification — AEC-Q101 (automotive)

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청