IAUZN08S7L177ATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUZN08S7L177ATMA1 por Infineon y IAUC60N04S6L030HATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

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IAUZN08S7L177ATMA1 IAUZN08S7L177ATMA1 - 80V 35A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN08S7L177ATMA1 - 80V 35A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

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IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

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Comparación de especificaciones

Parámetro IAUZN08S7L177ATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,89 $0,94
Technology OptiMOS 7 N-channel power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 35 A (Tj) —
Power Dissipation (PD) 45 W (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) 17.7 mΩ max —
Encapsulado PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²) PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
Temperatura de funcionamiento -55C to +175C (Tj, automotive grade) —
Configuration Single Half-Bridge (2 N-Channel)
Qualification AEC-Q101 automotive —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Yes —
Estado RoHS Compliant Compliant
Family Infineon OptiMOS 7 automotive, 80 V —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Series — OptiMOS 6
Continuous Drain Current (ID) at TJ — 60 A
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V — 3.0 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 35 nC
Output Capacitance (Coss) — 2.128 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 596 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V
Maximum Power Dissipation (PD) at TC — 75 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per part number suffix)

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