IAUZN08S7L177ATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUZN08S7L177ATMA1 メーカー: Infineon および IAUC60N04S6L030HATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUZN08S7L177ATMA1 IAUZN08S7L177ATMA1 - 80V 35A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN08S7L177ATMA1 - 80V 35A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN08S7L177ATMA1 ✓ 生産中
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IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUZN08S7L177ATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.89 $0.94
Technology OptiMOS 7 N-channel power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 35 A (Tj) —
Power Dissipation (PD) 45 W (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) 17.7 mΩ max —
パッケージ PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²) PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
動作温度 -55C to +175C (Tj, automotive grade) —
Configuration Single Half-Bridge (2 N-Channel)
Qualification AEC-Q101 automotive —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Yes —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Family Infineon OptiMOS 7 automotive, 80 V —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Series — OptiMOS 6
Continuous Drain Current (ID) at TJ — 60 A
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V — 3.0 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 35 nC
Output Capacitance (Coss) — 2.128 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 596 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V
Maximum Power Dissipation (PD) at TC — 75 W
動作接合温度 — -55 C to +175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per part number suffix)

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