IPB025N10N3GATMA1 vs IPB107N20N3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPB025N10N3GATMA1 por Infineon y IPB107N20N3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPB025N10N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,74 $1,18
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A 88 A
Power Dissipation (PD) at Tc 300 W —
RDS(on) Typical at VGS=10V, ID=100A 2.5 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V —
Input Capacitance (Ciss) 2.58 nF —
Gate Charge (Qg) Typical [DATA_NEEDED: Qg value] —
Encapsulado PG-TO263-7 (D2PAK-7) 6+Tab PG-TO263-3 (D2PAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (junction) [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET OptiMOS 3 trench MOSFET
Nivel MSL 1 (unlimited) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Sin halógenos Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc — 300 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 9.6 milliohm (typical, per third-party listing)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Recuento de pines — 3 (Drain, Source, Gate) + Tab

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización