IPB025N10N3GATMA1 vs IPB107N20N3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB025N10N3GATMA1 por Infineon e IPB107N20N3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB025N10N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,74 $1,18
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A 88 A
Power Dissipation (PD) at Tc 300 W —
RDS(on) Typical at VGS=10V, ID=100A 2.5 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V —
Input Capacitance (Ciss) 2.58 nF —
Gate Charge (Qg) Typical [DATA_NEEDED: Qg value] —
Encapsulamento PG-TO263-7 (D2PAK-7) 6+Tab PG-TO263-3 (D2PAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET OptiMOS 3 trench MOSFET
Nível MSL 1 (unlimited) —
Status RoHS Compliant Compliant
Livre de halogênio Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc — 300 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 9.6 milliohm (typical, per third-party listing)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Contagem de pinos — 3 (Drain, Source, Gate) + Tab

Fichas técnicas e recursos

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