IPB025N10N3GATMA1 vs IPB107N20N3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB025N10N3GATMA1 par Infineon et IPB107N20N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB025N10N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,74 $1,18
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A 88 A
Power Dissipation (PD) at Tc 300 W —
RDS(on) Typical at VGS=10V, ID=100A 2.5 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V —
Input Capacitance (Ciss) 2.58 nF —
Gate Charge (Qg) Typical [DATA_NEEDED: Qg value] —
Boîtier PG-TO263-7 (D2PAK-7) 6+Tab PG-TO263-3 (D2PAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET OptiMOS 3 trench MOSFET
Niveau MSL 1 (unlimited) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Sans halogène Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc — 300 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 9.6 milliohm (typical, per third-party listing)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Nombre de broches — 3 (Drain, Source, Gate) + Tab

Fiches techniques et ressources

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