IPB100N12S305ATMA2 vs IPP075N15N3GXKSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPB100N12S305ATMA2 por Infineon y IPP075N15N3GXKSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPB100N12S305ATMA2 IPP075N15N3GXKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,95 $1,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 120V —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 300 W —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) 0.0048 ohm (4.8 mΩ) at VGS=10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Avalanche Energy (EAS) 1445 mJ —
Encapsulado / Carcasa PG-TO263-3-2 (D2PAK) —
Tipo de montaje Surface Mount Through Hole
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C (TJ) [DATA_NEEDED: junction operating temperature range]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Estado RoHS Compliant —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Product Family — OptiMOS 3
Technology — N-Channel MOSFET (OptiMOS 3)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 7.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max]
Encapsulado — PG-TO220-3 (TO-220 through-hole)
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — RoHS Compliant
Ordering Code Suffix — GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant)

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