IPB100N12S305ATMA2 vs IPP075N15N3GXKSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB100N12S305ATMA2 por Infineon e IPP075N15N3GXKSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB100N12S305ATMA2 IPP075N15N3GXKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,95 $1,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 120V —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 300 W —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) 0.0048 ohm (4.8 mΩ) at VGS=10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Avalanche Energy (EAS) 1445 mJ —
Encapsulamento / Caixa PG-TO263-3-2 (D2PAK) —
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C (TJ) [DATA_NEEDED: junction operating temperature range]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Status RoHS Compliant —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Product Family — OptiMOS 3
Technology — N-Channel MOSFET (OptiMOS 3)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 7.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max]
Encapsulamento — PG-TO220-3 (TO-220 through-hole)
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — RoHS Compliant
Ordering Code Suffix — GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant)

Fichas técnicas e recursos

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