IPB100N12S305ATMA2 vs IPP075N15N3GXKSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB100N12S305ATMA2 par Infineon et IPP075N15N3GXKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB100N12S305ATMA2 IPP075N15N3GXKSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,95 $1,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 120V —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 300 W —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) 0.0048 ohm (4.8 mΩ) at VGS=10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Avalanche Energy (EAS) 1445 mJ —
Boîtier / Format PG-TO263-3-2 (D2PAK) —
Type de montage Surface Mount Through Hole
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (TJ) [DATA_NEEDED: junction operating temperature range]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Statut RoHS Compliant —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Product Family — OptiMOS 3
Technology — N-Channel MOSFET (OptiMOS 3)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 7.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max]
Boîtier — PG-TO220-3 (TO-220 through-hole)
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — RoHS Compliant
Ordering Code Suffix — GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant)

Fiches techniques et ressources

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