IPB60R280P7ATMA1 vs IPD60R360P7SAUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPB60R280P7ATMA1 por Infineon y IPD60R360P7SAUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPB60R280P7ATMA1 IPD60R360P7SAUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,88 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 (600 V) —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (SJ) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 12 A —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) 280 mOhm —
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ 3.5 V —
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) 53 W —
Encapsulado PG-TO263-3 (D2PAK) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 3 (2 + Tab) —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C (T_j max) -55C to +150C (junction)
Configuration Single N-Channel —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Generation 7th Gen CoolMOS (successor to P6) —
Series — CoolMOS P7
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 9 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 360 mOhm (typ, VGS = 10 V)
Power Dissipation (PD) at TC — 41 W
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.0 V to 4.5 V (typ)
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Encapsulado / Carcasa — PG-TO252-3 (DPAK)
Número de pines — 3
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Channel Type — N-Channel

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