IPB60R280P7ATMA1 vs IPD60R360P7SAUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPB60R280P7ATMA1 par Infineon et IPD60R360P7SAUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPB60R280P7ATMA1 | IPD60R360P7SAUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,88 | $0,65 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P7 (600 V) | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Superjunction (SJ) | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | 12 A | — |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | 280 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | 3.5 V | — |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | 53 W | — |
| Boîtier | PG-TO263-3 (D2PAK) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 (2 + Tab) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +150 °C (T_j max) | -55C to +150C (junction) |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Generation | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) | — |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 9 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 360 mOhm (typ, VGS = 10 V) |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 41 W |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.0 V to 4.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Boîtier / Format | — | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Nombre de broches | — | 3 |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Channel Type | — | N-Channel |