IPB60R280P7ATMA1 vs IPD60R360P7SAUMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPB60R280P7ATMA1 por Infineon e IPD60R360P7SAUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IPB60R280P7ATMA1 | IPD60R360P7SAUMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,88 | $0,65 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P7 (600 V) | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Superjunction (SJ) | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | 12 A | — |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | 280 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | 3.5 V | — |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | 53 W | — |
| Encapsulamento | PG-TO263-3 (D2PAK) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Contagem de pinos | 3 (2 + Tab) | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 °C to +150 °C (T_j max) | -55C to +150C (junction) |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Generation | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) | — |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 9 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 360 mOhm (typ, VGS = 10 V) |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 41 W |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.0 V to 4.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Encapsulamento / Caixa | — | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Número de pinos | — | 3 |
| Nível MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Channel Type | — | N-Channel |