IPD031N06L3GATMA1 vs IPD034N06N3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD031N06L3GATMA1 por Infineon y IPD034N06N3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD031N06L3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,48 $0,51
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C 167 W —
RDS(on) Max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.2 V —
Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Total Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Encapsulado PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS 3 OptiMOS 3
Nivel MSL 1 (Unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Estado RoHS Compliant Compliant (Pb-free green finish)
Manufacturer — Infineon Technologies
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 167 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.4 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 4 V at 93 uA
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
Pin Configuration — 3-Pin (2 + Tab)
Automotive Qualified — Yes (per Infineon product page)

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