IPD031N06L3GATMA1 vs IPD034N06N3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD031N06L3GATMA1 par Infineon et IPD034N06N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD031N06L3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $0,51
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C 167 W —
RDS(on) Max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.2 V —
Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Total Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS 3 OptiMOS 3
Niveau MSL 1 (Unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS Compliant Compliant (Pb-free green finish)
Manufacturer — Infineon Technologies
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 167 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.4 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 4 V at 93 uA
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
Pin Configuration — 3-Pin (2 + Tab)
Automotive Qualified — Yes (per Infineon product page)

Fiches techniques et ressources

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