IPD031N06L3GATMA1 vs IPD034N06N3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD031N06L3GATMA1 por Infineon e IPD034N06N3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IPD031N06L3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $0,51
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C 167 W —
RDS(on) Max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.2 V —
Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Total Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS 3 OptiMOS 3
Nível MSL 1 (Unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Status RoHS Compliant Compliant (Pb-free green finish)
Manufacturer — Infineon Technologies
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 167 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.4 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 4 V at 93 uA
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
Pin Configuration — 3-Pin (2 + Tab)
Automotive Qualified — Yes (per Infineon product page)

Fichas técnicas e recursos

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