IPD042P03L3GATMA1 vs IPD068P03L3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD042P03L3GATMA1 por Infineon y IPD068P03L3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPD042P03L3GATMA1 IPD042P03L3GATMA1 - 30V P-Ch 4.2mΩ 70A MOSFET | Infineon

IPD042P03L3GATMA1 - 30V P-Ch 4.2mΩ 70A MOSFET | Infineon

IPD042P03L3GATMA1 ✓ Activo
Infineon
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 - 30V P-Ch OptiMOS MOSFET, 70A | Infineon

IPD068P03L3GATMA1 - 30V P-Ch OptiMOS MOSFET, 70A | Infineon

IPD068P03L3GATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD042P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,28 $0,51
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) -70 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -280 A —
RDS(on) max @ VGS = -10 V 4.2 mΩ —
RDS(on) max @ VGS = -4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ -4.5 V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -1.5 V (typ) —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Total Power Dissipation (PD @ Tc=25°C) 150 W —
Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) 290 mJ —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +175°C (TJ) -55C to +175C (junction)
Encapsulado PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Technology OptiMOS™ P (Trench) Trench MOSFET (OptiMOS)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS P-Channel Power MOSFET
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — -30 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — -70 A
Pulsed Drain Current (I_D,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (P_D) at T_C — 100 W
R_DS(on) max at V_GS=-10V — 0.005 ohm (typical)
Gate-Source Threshold Voltage (V_GS(th)) — -1.0 V to -2.2 V
Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Channel Mode — Enhancement

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