IPD042P03L3GATMA1 vs IPD068P03L3GATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPD042P03L3GATMA1 제조: Infineon 및 IPD068P03L3GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPD042P03L3GATMA1 | IPD068P03L3GATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.28 | $0.51 |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | -70 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | -280 A | — |
| RDS(on) max @ VGS = -10 V | 4.2 mΩ | — |
| RDS(on) max @ VGS = -4.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ -4.5 V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | -1.5 V (typ) | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Total Power Dissipation (PD @ Tc=25°C) | 150 W | — |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | 290 mJ | — |
| 동작 온도 범위 | -55°C to +175°C (TJ) | -55C to +175C (junction) |
| 패키지 | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Technology | OptiMOS™ P (Trench) | Trench MOSFET (OptiMOS) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | 1 | 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS P-Channel Power MOSFET |
| Polarity / Channel Type | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | -30 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | -70 A |
| Pulsed Drain Current (I_D,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 100 W |
| R_DS(on) max at V_GS=-10V | — | 0.005 ohm (typical) |
| Gate-Source Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | -1.0 V to -2.2 V |
| Gate Charge (Q_g) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Channel Mode | — | Enhancement |