IPD052N10NF2SATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD052N10NF2SATMA1 por Infineon y IPD50N06S409ATMA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPD052N10NF2SATMA1 IPD052N10NF2SATMA1 - 100V N-Ch MOSFET 5.2mΩ 118A | Infineon

IPD052N10NF2SATMA1 - 100V N-Ch MOSFET 5.2mΩ 118A | Infineon

IPD052N10NF2SATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD052N10NF2SATMA1 IPD50N06S409ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,55 $0,49
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD052N10NF2SATMA1 —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 100V N-Channel MOSFET (OptiMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 17 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 118 A 50 A
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max 5.2 mΩ @ VGS=10V, ID=70A —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Max 3.8 V @ ID=84µA —
Encapsulado / Carcasa PG-TO252-3 (DPAK, SC-63) —
Supplier Device Package PG-TO252-3 —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C (TJ) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Number of Channels 1 —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V — 9 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 °C to +175 °C
Encapsulado — PG-TO252-3-11 (DPAK)
Recuento de pines — 3 (2 + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free / Halogen-Free — [DATA_NEEDED]

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