IPD052N10NF2SATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD052N10NF2SATMA1 par Infineon et IPD50N06S409ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPD052N10NF2SATMA1 IPD052N10NF2SATMA1 - 100V N-Ch MOSFET 5.2mΩ 118A | Infineon

IPD052N10NF2SATMA1 - 100V N-Ch MOSFET 5.2mΩ 118A | Infineon

IPD052N10NF2SATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD052N10NF2SATMA1 IPD50N06S409ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,55 $0,49
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD052N10NF2SATMA1 —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 100V N-Channel MOSFET (OptiMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 17 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 118 A 50 A
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max 5.2 mΩ @ VGS=10V, ID=70A —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Max 3.8 V @ ID=84µA —
Boîtier / Format PG-TO252-3 (DPAK, SC-63) —
Supplier Device Package PG-TO252-3 —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (TJ) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Number of Channels 1 —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V — 9 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Boîtier — PG-TO252-3-11 (DPAK)
Nombre de broches — 3 (2 + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free / Halogen-Free — [DATA_NEEDED]

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