IPD068N10N3GATMA1 vs ISZ230N10NM6ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD068N10N3GATMA1 por Infineon y ISZ230N10NM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD068N10N3GATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,65 $0,71
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD068N10N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
On-Resistance RDS(on) max 6.8 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V (typical) 3.3 V (typ at 13 µA)
Encapsulado PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +175 C —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Packing Tape & Reel (T/R) —
Qualification Industrial (non-automotive) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Ta) — 7.7 A
Continuous Drain Current (Tc) — 31 A
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 23 mΩ (typ, ID=10A)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 °C to +150 °C (junction)
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V
Family — OptiMOS 6 (100V class)

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