IPD068N10N3GATMA1 vs ISZ230N10NM6ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPD068N10N3GATMA1 от Infineon и ISZ230N10NM6ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IPD068N10N3GATMA1 - 100V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPD068N10N3GATMA1 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | IPD068N10N3GATMA1 | ISZ230N10NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,65 | $0,71 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPD068N10N3GATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 6.8 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 150 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2.0 V to 4.0 V (typical) | 3.3 V (typ at 13 µA) |
| Корпус | PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) | PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура перехода | -55 C to +175 C | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Configuration | Single | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Уровень MSL | 1 | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Packing | Tape & Reel (T/R) | — |
| Qualification | Industrial (non-automotive) | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 7.7 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 31 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 23 mΩ (typ, ID=10A) |
| Диапазон рабочих температур | — | -55 °C to +150 °C (junction) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V |
| Family | — | OptiMOS 6 (100V class) |