IPD068N10N3GATMA1 vs ISZ230N10NM6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD068N10N3GATMA1 par Infineon et ISZ230N10NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD068N10N3GATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,65 $0,71
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD068N10N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
On-Resistance RDS(on) max 6.8 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V (typical) 3.3 V (typ at 13 µA)
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Packing Tape & Reel (T/R) —
Qualification Industrial (non-automotive) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Ta) — 7.7 A
Continuous Drain Current (Tc) — 31 A
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 23 mΩ (typ, ID=10A)
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +150 °C (junction)
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V
Family — OptiMOS 6 (100V class)

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