IPD33CN10NGATMA1 vs IPG20N06S4L14AATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD33CN10NGATMA1 por Infineon y IPG20N06S4L14AATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 - 60V Dual N-Ch 14mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N06S4L14AATMA1 - 60V Dual N-Ch 14mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N06S4L14AATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD33CN10NGATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,32 $0,82
FET Type N-Channel 2 N-Channel (Dual)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 27 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 58 W —
Technology OptiMOS (Trench) OptiMOS™ Trench
Encapsulado PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
Recuento de pines 3 (Gate, Drain, Source) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (TJ) -55°C to +175°C (junction)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Nivel MSL 1 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPG20N06S4L14AATMA1
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (per channel)
Power Dissipation (PD) — 50 W
RDS(on) at VGS=10V — 13.7 mΩ typical
RDS(on) at VGS=4.5V — 14 mΩ typical
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Logic-Level Gate Drive — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101
Peak Reflow Temperature — 260°C
Avalanche Tested — 100% (per datasheet)
RoHS Compliance — Green Product (RoHS compliant)
AOI Compatible — Yes (Wettable Flank)

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