IPD33CN10NGATMA1 vs IPG20N06S4L14AATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD33CN10NGATMA1 par Infineon et IPG20N06S4L14AATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 - 60V Dual N-Ch 14mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N06S4L14AATMA1 - 60V Dual N-Ch 14mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N06S4L14AATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD33CN10NGATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,32 $0,82
FET Type N-Channel 2 N-Channel (Dual)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 27 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 58 W —
Technology OptiMOS (Trench) OptiMOS™ Trench
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (TJ) -55°C to +175°C (junction)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Niveau MSL 1 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPG20N06S4L14AATMA1
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (per channel)
Power Dissipation (PD) — 50 W
RDS(on) at VGS=10V — 13.7 mΩ typical
RDS(on) at VGS=4.5V — 14 mΩ typical
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Logic-Level Gate Drive — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101
Peak Reflow Temperature — 260°C
Avalanche Tested — 100% (per datasheet)
RoHS Compliance — Green Product (RoHS compliant)
AOI Compatible — Yes (Wettable Flank)

Fiches techniques et ressources

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