IPD380P06NMATMA1 vs BSZ180P03NS3EGATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD380P06NMATMA1 por Infineon y BSZ180P03NS3EGATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPD380P06NMATMA1 IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD380P06NMATMA1 BSZ180P03NS3EGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,49 $0,45
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage V(BR)DSS 60 V —
Corriente de drenador continua (TC=25°C) 35 A —
Power Dissipation (Tc) 125 W 40 W
Technology OptiMOS P-channel trench OptiMOS P3
Encapsulado PG-TO252-3 (DPAK), surface mount PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C (junction) -55°C to +150°C (TJ)
Gate Drive Logic-level compatible —
Avalanche Rated Yes (per manufacturer datasheet) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 1
Target Applications Reverse-polarity protection, load switch, BMS, high-side switch —
Lead-Free Yes Yes
Automotive Qualified Not specified in provided data [DATA_NEEDED: AEC-Q100 grade] —
Tipo de transistor — P-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) - Ta — 9 A
Continuous Drain Current (ID) - Tc — 39.5 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-State Resistance (RDS(on)) max — 18 mΩ @ VGS = -10 V
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge (QG) total — [DATA_NEEDED: QG total]
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W

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