IPD380P06NMATMA1 vs BSZ180P03NS3EGATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPD380P06NMATMA1 от Infineon и BSZ180P03NS3EGATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
BSZ180P03NS3EGATMA1 - 30V P-Channel OptiMOS P3 MOSFET | Infineon
BSZ180P03NS3EGATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IPD380P06NMATMA1 | BSZ180P03NS3EGATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,49 | $0,45 |
| Polarity / Channel Type | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage V(BR)DSS | 60 V | — |
| Непрерывный ток стока (TC=25°C) | 35 A | — |
| Power Dissipation (Tc) | 125 W | 40 W |
| Technology | OptiMOS P-channel trench | OptiMOS P3 |
| Корпус | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Диапазон рабочих температур | -55 C to +150 C (junction) | -55°C to +150°C (TJ) |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Avalanche Rated | Yes (per manufacturer datasheet) | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Уровень MSL | 1 | 1 |
| Target Applications | Reverse-polarity protection, load switch, BMS, high-side switch | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Automotive Qualified | Not specified in provided data [DATA_NEEDED: AEC-Q100 grade] | — |
| Тип транзистора | — | P-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) - Ta | — | 9 A |
| Continuous Drain Current (ID) - Tc | — | 39.5 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 18 mΩ @ VGS = -10 V |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Charge (QG) total | — | [DATA_NEEDED: QG total] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.1 W |