IPD380P06NMATMA1 vs BSZ180P03NS3EGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD380P06NMATMA1 par Infineon et BSZ180P03NS3EGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPD380P06NMATMA1 IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD380P06NMATMA1 BSZ180P03NS3EGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,49 $0,45
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage V(BR)DSS 60 V —
Courant de drain continu (TC=25°C) 35 A —
Power Dissipation (Tc) 125 W 40 W
Technology OptiMOS P-channel trench OptiMOS P3
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK), surface mount PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C (junction) -55°C to +150°C (TJ)
Gate Drive Logic-level compatible —
Avalanche Rated Yes (per manufacturer datasheet) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 1
Target Applications Reverse-polarity protection, load switch, BMS, high-side switch —
Lead-Free Yes Yes
Automotive Qualified Not specified in provided data [DATA_NEEDED: AEC-Q100 grade] —
Type de transistor — P-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) - Ta — 9 A
Continuous Drain Current (ID) - Tc — 39.5 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-State Resistance (RDS(on)) max — 18 mΩ @ VGS = -10 V
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge (QG) total — [DATA_NEEDED: QG total]
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W

Fiches techniques et ressources

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