IPD50N06S409ATMA2 vs IPD052N10NF2SATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD50N06S409ATMA2 por Infineon y IPD052N10NF2SATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPD052N10NF2SATMA1 IPD052N10NF2SATMA1 - 100V N-Ch MOSFET 5.2mΩ 118A | Infineon

IPD052N10NF2SATMA1 - 100V N-Ch MOSFET 5.2mΩ 118A | Infineon

IPD052N10NF2SATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD50N06S409ATMA2 IPD052N10NF2SATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,49 $0,55
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS) MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 100V
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A 118 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V 9 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 °C to +175 °C —
Encapsulado PG-TO252-3-11 (DPAK) —
Recuento de pines 3 (2 + Tab) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free [DATA_NEEDED] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPD052N10NF2SATMA1
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 17 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max — 5.2 mΩ @ VGS=10V, ID=70A
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Max — 3.8 V @ ID=84µA
Encapsulado / Carcasa — PG-TO252-3 (DPAK, SC-63)
Supplier Device Package — PG-TO252-3
Temperatura de funcionamiento — -55 °C to +175 °C (TJ)
Number of Channels — 1

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