IPD50N06S409ATMA2 vs IPD052N10NF2SATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD50N06S409ATMA2 por Infineon e IPD052N10NF2SATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPD052N10NF2SATMA1 IPD052N10NF2SATMA1 - 100V N-Ch MOSFET 5.2mΩ 118A | Infineon

IPD052N10NF2SATMA1 - 100V N-Ch MOSFET 5.2mΩ 118A | Infineon

IPD052N10NF2SATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IPD50N06S409ATMA2 IPD052N10NF2SATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,49 $0,55
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS) MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 100V
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A 118 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V 9 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento PG-TO252-3-11 (DPAK) —
Contagem de pinos 3 (2 + Tab) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free [DATA_NEEDED] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPD052N10NF2SATMA1
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 17 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max — 5.2 mΩ @ VGS=10V, ID=70A
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Max — 3.8 V @ ID=84µA
Encapsulamento / Caixa — PG-TO252-3 (DPAK, SC-63)
Supplier Device Package — PG-TO252-3
Temperatura de operação — -55 °C to +175 °C (TJ)
Number of Channels — 1

Fichas técnicas e recursos

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