IPD50N06S409ATMA2 vs IPD052N10NF2SATMA1 比較
詳細な並列比較: IPD50N06S409ATMA2 メーカー: Infineon および IPD052N10NF2SATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IPD50N06S409ATMA2 | IPD052N10NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.49 | $0.55 |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS) | MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 100V |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 50 A | 118 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | 9 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 71 W | — |
| 動作接合温度 | -55 °C to +175 °C | — |
| パッケージ | PG-TO252-3-11 (DPAK) | — |
| ピン数 | 3 (2 + Tab) | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | [DATA_NEEDED] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPD052N10NF2SATMA1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 17 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 150 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max | — | 5.2 mΩ @ VGS=10V, ID=70A |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Max | — | 3.8 V @ ID=84µA |
| パッケージ / ケース | — | PG-TO252-3 (DPAK, SC-63) |
| Supplier Device Package | — | PG-TO252-3 |
| 動作温度 | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Number of Channels | — | 1 |